3DG32 型晶体管

• 结构名称：NPN硅外延平面高频小功率晶体管。 
• 等级标记：Ⅱ类
• 主要用途：接收机及无线电设备作高频放大和振荡用。
• 外 形 图：B-2型

3DG32   参数

序号	参数	单位	测试条件			规　范　值
						3DG32B	3DG32D	3DG32F
1	PCM	mW	Ta=25±3℃			300
2	IC	mA				30
3	TjM	℃				175
4	ICBO	μA	VCB=10V			≤0.1	≤0.1	≤0.1
5	ICEO	μA	VCE=10V			≤0.1	≤0.1	≤0.1
6	IEBO	μA	VEB=1.5V			≤0.1	≤0.1	≤0.1
7	V(BR)CBO	V	ICB=50μA			≥25	≥25	≥25
8	V(BR)CEO	V	ICE=50μA			≥15	≥15	≥15
9	V(BR)EBO	V	IEB=50μA			≥3	≥3	≥3
10	VBE(sat)	V	IC=10mA，IB=1mA			≤1	≤1	≤1
11	VCE(sat)	V	IC=10mA，IB=1mA			≤0.35	≤0.35	≤0.35
12	hFE		VCE=10V，IC=10mA			40~270	40~270	40~270
13	fT	MHz	f=100MHz，VCE=10V，IC=10mA			≥300	≥500	≥700
						允许测试误差±10%
NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表
hFE	40~55	55~80	80~120	120~180	180~250
色标	黄	绿	蓝	紫	灰

3DG32晶体管B-2型封状尺寸图