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HK1265-7：NVRAM 非易失性存储器HK1265 256K×8

HK1265 引脚排列

HK1265引脚排列

HK1265 读取模式

HK1265 在 WE（写使能）被禁止（high）且 CE（片选）被选中（Low）并
且 OE（读信号）被使能（Low）执行一次读循环。18 个地址输入线（A0-A17） 指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后 8 位数据输出驱动 器将在 tACC 时序内得到有效数据。

HK1265 写模式

地址输入稳定后，HK1265 在 WE 和 CE 信号处于激活（低电平）状态为写 模式。最后出现的 CE 或 WE 下降沿将决定写循环的开始，写循环终止于 CE 或 WE 前边的上升边沿。在写循环内所有地址输入必须保持有效。在下 一个循环能被初始化前，WE 写信号必须将高电平保持最少记录时间（tWR）. 写循环期间 OE 控制信号应当保持失效（高电平），避免总线冲突，如果输 出总线已经有效（CE 和 OE 激活），则写信号可以在 tODW 时序内从下降边 沿开始禁止输出。

HK1265 数据保存模式

HK1265 为 Vcc 提供全部功能，当 VCC 大于 4.5 伏或 4.75 伏,写保护为 4.35伏或 4.75 伏。当 Vcc 掉电时保存数据,没有任何附加支持电路的需要。 HK1265 通常监视 Vcc。如果电源电压降低，RAM 自动写保护其本身。所 有对 RAM 的输入变为“不接收”，所有输出为高电阻。当 Vcc 降低到大约3.0 伏时，电源转换电路将用锂电源向 RAM 供电保存数据。电压升高时， 当 Vcc 升高到大约 3.0 伏时，电压转换电路将外部 Vcc 与 RAM 连接。正常 RAM 操作在 Vcc 超过 4.5 伏或 4.75 伏后能够重新开始。

HK1265 出厂状态及运输

HK1265 从半导体出厂均保证满电量。运输及使用中的重力加速度不应超出 1.5G 否则影响寿命。

HK1265 验收及服务

本产品验收期为1个月即自客户得到本产品后对以下各项性能指标进行验 收，如果异议应在1个月内提出更换或退货。质量保证期即服务期为一年， 如产品在一年内非使用问题而产生的产品质量问题并且未经使用损坏的经 我公司检验认可可以给予更换。我公司拥有对以上条款的最终解释权。

HK1265 各项指标
最大范围

注：长期暴露在工作在以上最大范围下将影响使用周期

②推荐操作条件 (0℃to70℃)
PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITS
Power Supply Voltage（HK1265） VCC 4.5 5.0 5.5 V
Power Supply Voltage（HK1265N） VCC 4.75 5.0 5.25 V
Logic 1 VIH 2.2 — Vcc V
③直流特性 (0℃to70℃;Vcc=5V±10%)

PARAMETER 		SYMBOL MIN TYP MAX UNITS
Input Leakage Current I IL -5.0 — +5.0 mA
I/O Leakage Current CE≥VIH≤VCC I IO -5.0 — +5.0 mA
Output Current @2.4V I OH -1.0 — — mA
Output current @0.4V I OL 2.0 — — mA
Standby Current CE=2.2V，CE2=0V I CCS1 — 5.0 10.0 mA
Standby Current CE=Vcc-0.5V，CE2=0V I CCS2 — 3.0 5.0 mA
Operating Current I CCO1 — 5 45 mA
Write Protection Voltage（HK1265） V T P 4.25 4.37 4.5 V
Write Protection Voltage（HK1265N） V T P 4.5 4.75 4.85 V

④读写电特性 (0℃to70℃;Vcc=5V±10%)
PARAMETER SYM HK1265-70 HK1265-85 HK1265-100 UNITS NOTES
MIN MAX MIN MAX MIN MAX
Read Cycle Time tRC 70 — 85 — 100 — ns —
Access Time tACC — 70 — 85 — 100 ns —
OE to Output Valid tOE — 35 — 45 — 50 ns —
OE to Output Valid tCO — 70 — 85 — 100 ns —
OE or CE Output Active tCOE 5 — 5 — 5 — ns 5
Output High Z from Dissection tOD — 25 — 30 — 35 ns 5
Output Hold from dress Change tOH 5 — 5 — 5 — ns —
Write Cycle Time tWC 70 — 85 — 100 — ns —
Write Pulse Width tWP 55 — 65 — 75 — ns 3
Address Setup Time tAW 0 — 0 — 0 — ns —
Write Recovery Time

 tWR1
tWR2 		5
15 		—

 5
15 		—

 5
15 		—

 ns
Output High Z from WE tODW — 25 — 30 — 35 ns 5
Output Active from WE tOEW 5 — 5 — 5 — ns 5
Data Setup Time tDS 30 — 35 — 40 — ns 4
Data Hold Time tDH1
tDH2 		0
10 		— 0
10 		— 0
10 		— ns
⑤建议电源上下电时间

SYM 		PARAMETER MIN MAX UNITS NOTES
tPD CE at VIH before Power-Down 10 — us —
tF Vcc Slew from 4.5v to 0v(CE at VIH) 300 — us —
tR Vcc Slew from 0v to 4.5v(CE at VIH) 0 20 us —
tREC CE WE at VIH after Power-Up 20 125 ms —
(TA=25℃)

SYM 		PARAMETER MIN TYP MAX UNITS NOTES
t DR Expected Data Retention Time — 10 — years 9,10

注：请技术人员在使用前仔细阅读英文资料,中文翻译仅为全部资料中的一部分。

HKNVRAM 通用非易失性随机存取存储器
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SNVRAM 带软件锁非易失性随机存取存储器
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