3DA10 型晶体管

• 结构名称：NPN硅平面高频大功率晶体管。
• 等级标记：Ⅱ类
• 主要用途： 用于50～100MHz下输出3—5W短波功率放大器及其它电子设备。
• 外形图：F—1C型

3DA10 型晶体管

序号	参数	单位	测试条件	规　范　值
				3DA10A	3DA10B
1	PCM	W	Tc≤70℃±5℃	10
2	IC	A		1
3	TjM	℃		175
4	ICEO	mA	VCE=20V	≤1	≤0.5
5	BVCBO	V	ICB=5mA	≥45	≥65
6	BVCEO	V	ICE=5mA	≥40	≥60
7	BVEBO	V	IEB=5mA	≥2	≥3
8	VCE(sat)	V	IC=0.5A，IB=0.1A	≤1.5	≤1.5
9	hFE		VCE=5V，IC=0.3A	≥12	≥15
10	PO	W	VCE=24V，Pi=1.25W，f=100MHz	≥4	≥5
11	Gp	dB		≥5	≥6
12	η	%		≥45	≥45
13	VSB	V	IC=0.2A		≥30

3DA10 型晶体管B-2 型封状尺寸图