3DA109 型晶体管

• 结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
  等级标记：Ⅱ类
• 主要用途： 1.6—30MHz50W单边带通讯设备及其它通讯设备中作功率放大，通过功率合成的方法、输出峰包功率可以从几十瓦到几百瓦。
• 外形图：F-2C型

3DA109 型晶体管参数

序号	参数	单位	测试条件	规范值
1	PCM	W	Tc≤70℃	50
2	IC	A		8
3	TjM	℃		175
4	ICBO	mA	VCB=30V	≤5
5	BV CEO	V	ICE=20mA	≥50
6	BV EBO	V	IEB=20mA	≥3
7	VCE(sat)	V	IC=5A，IB=1A	≤2.5
8	hFE		VCE=5V，IC=3A	10~80
9	PO	W	f=30MHz，VC=28V，Pi（pep）=4W	≥50

3DA109 型晶体管封装尺寸图