3DA198 型晶体管

• 结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
  等级标记：Ⅱ类
• 主要用途： 1.6—30MHz50W单边带通讯设备及其它通讯设备中作功率放大，通过功率合成的方法、输出峰包功率可以从几十瓦到几百瓦。
• 外形图：F-2C型

3DA198 型晶体管参数

序号	参数	单位	测试条件	规范值
				1	PCM	W	Tc≤70℃	20
2	IC	A		5
3	TjM	℃		150
4	RTh	℃/W	VC=20V，IC=1A	2.5
5	ICBO	mA	VCB=50V	≤5
6	BVCEO	V	ICE=5mA	≥40
7	BVEBO	V	IEB=2mA	≥4
8	VCE(sat)	V	IC=3A，IB=0.6A	≤1.5
9	hFE		VC=5V，IC=1.5A	15~100
11	PO（PEP）	W	f=30MHz，VC=24V，Pi（PEP）=1.3W	≥20
12	G P	dB		≥12

3DA198 型晶体管封装尺寸图