3DA76 型晶体管

• 结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
  等级标记：Ⅱ类
  主要用途： 10—20MHz输出1—3W短波，超短波，功率放大器及其它电子设备。
  外形图：F—1C型

3DA76 型晶体管

序号	参数	单位	测试条件	规范值
				3DA76	3DA76D
1	PCM	W	Tc=70℃±10℃	7.5	7.5
2	IC	A		0.75	1
3	BVEBO	V	Ic=0.02mA		≥5
			Ic=0.2mA	≥3
4	BVCEO	V	Ic=5mA	≥60	≥70
5	BVCBO	V	IE=3mA	≥65	≥75
6	ICBO	mA	VCB=60V		≤0.02
			VCB=30V	≤0.2
7	ICEO	mA	VCE=50V		≤0.02
			VCE=25V	≤0.2
8	hFE		VCE=13V， IB=35mA		20~80
			VCE=10V，IB=200mA	≥15
9	VCE(sat)	V	Ic=0.5A，IB=0.1A	≤1.5	≤1.5
10	PO	W	f=10MHz，VCE=24V，Pi=0.1W	≥5.5	≥2.5

3DA76 型晶体管B-2 型封状尺寸图