3DA814 型晶体管

• 结构名称：多晶发射区结构带有发射极镇流电阻的NPN硅平面外延超高频功率晶体管。
• 等级标记：Ⅲ类
• 主要用途：用于80系列低压民用电台末级功放。

3DA814 型晶体管参数

序号	参数	单位	测试条件	规　范　值
1	Ptot	W	TC=25℃	26
2	ICM	A		8
3	TjM	℃		175
4	ICEO	mA	VCE=12V	≤3
5	BV CBO	V	ICB=20mA	≥36
6	BVCEO	V	ICE=20mA	≥18
7	BVEBO	V	IEB=20mA	≥3
8	VCE(sat)	V	IC=2.5A，IB=0.5A	≤1
9	hFE		VC=5V，IC=2A	≥10
10	PO	W	f=200MHz，VC=12.5V，Pi=5W	≥20
11	GP	dB		≥6

3DA814 型晶体管封装尺寸图