3DA831A,3DA831B 型晶体管

• 结构名称：多晶发射区结构带有发射极镇流电阻，内匹配电容，NPN硅平面外延超高频功率晶体管。
• 等级标记：Ⅱ类
• 主要用途：适用于雷达发射机及各种通讯设备中作末级功放。
• 外 形 图：QF-3型

3DA831A,3DA831B 型晶体管参数

序号	参数	单位	测试条件	规　范　值
				3DA831A	3DA831B
1	Ptot	W	TC=25℃	100
2	ICM	A		15
3	TjM	℃		175
4	ICBO	mA	VCB=28V	≤5
5	V(BR)CBO	V	ICB=50mA	≥50
6	V(BR)CEO	V	ICE=50mA	≥30
7	V(BR)EBO	V	IEB=50mA	≥3
8	VCE(sat)	V	IC=8A，IB=1.6A	≤1.5
9	hFE		VC=5V，IC=6A	≥8
10	PO	W	f=400MHz，VCE=28V，☆Pi=35W，Pi=40W	☆≥100	≥100
11	GP	dB		☆≥4.5	≥4

3DA831A,3DA831B 型晶体管封装尺寸图