3DG11 型晶体管

• 结构名称：NPN硅外延平面高频小功率晶体管。
• 等级标记：Ⅱ类
• 主要用途：接收机及无线电设备高频放大和振荡。
• 外 形 图：B-2A型、B-2型

3DG11 参数

序号	参数	单位	测试条件			规　范　值
						3DG11B	3DG11D	3DG11F
1	Ptot	mW				100	100	100
2	ICM	mA				10	10	10
3	TjM	℃	IC=100μA			175	175	175
4	ICBO	μA	VCB=10V			≤0.1	≤0.1	≤0.1
5	ICEO	μA	VCE=6V			≤0.1	≤0.1	≤0.1
6	IEBO	μA	VEB=1.5V			≤0.1	≤0.1	≤0.1
7	V(BR)CBO	V	ICB=50μA			≥25	≥25	≥25
8	V(BR)CEO	V	ICE=50μA			≥15	≥15	≥15
9	V(BR)EBO	V	IEB=50μA			≥4	≥4	≥4
10	VBE(sat)	V	IC=10mA，IB=1mA			≤1	≤1	≤1
11	VCE(sat)	V	IC=10mA，IB=1mA			≤0.35	≤0.35	≤0.35
12	hFE		VCE=6V，IC=2mA			40~270	40~270	40~270
13	fT	MHz	f=100MHz，VCE=6V，IC=2mA			≥300	≥500	≥700

允许测试误差±10%

NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表

hFE	40~55	55~80	80~120	120~180	180~270
色标	黄	绿	蓝	紫	灰

3DG11晶体管B-2型封状尺寸图

3DG11晶体管B-2A型封状尺寸图