3DG112 型晶体管
- 结构名称：NPN硅高频小功率三极管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途:用于接收机和无线电设备中做高频放大及振荡用。
- 外形图：B-2型
3DG112 型晶体管
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规范值 | |||||
| 3DG112A | 3DG112B | 3DG112C | 3DG112D | ||||||
| 1 | PCM | mW | Ta=25℃ | 300 | |||||
| 2 | IC | mA | 50 | ||||||
| 3 | TjM | ℃ | 175 | ||||||
| 4 | V(BR)CBO | V | IC=100μA | ≥20 | ≥40 | ≥20 | ≥40 | ||
| 5 | V(BR)CEO | V | IC=100μA | ≥15 | ≥30 | ≥15 | ≥30 | ||
| 6 | V(BR)EBO | V | IE=100μA | ≥4 | ≥4 | ≥4 | ≥4 | ||
| 7 | ICEO | μA | VCE=10V | ≤0.1 | ≤0.1 | ≤0.1 | ≤0.1 | ||
| 8 | ICBO | μA | VCE=10V | ≤0.1 | ≤0.1 | ≤0.1 | ≤0.1 | ||
| 9 | IEBO | μA | VEB=1.5V | ≤0.1 | ≤0.1 | ≤0.1 | ≤0.1 | ||
| 10 | VBE(sat) | V | IC=10mA，IB=1mA | ≤1 | ≤1 | ≤1 | ≤1 | ||
| 11 | VCE(sat) | V | IC=10mA，IB=1mA | ≤0.35 | ≤0.35 | ≤0.35 | ≤0.35 | ||
| 12 | hFE | VCE=10V，IC=10mA | 40~270 | 40~270 | 40~270 | 40~270 | |||
| 13 | fT | MHz | f=100MHz，VCE=10V，IC=10mA，RL=5Ω | ≥500 | ≥500 | ≥700 | ≥700 | ||
允许测试误差±10%
NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表
| hFE | 40~55 | 55~80 | 80~120 | 120~180 | 180~270 |
| 色标 | 黄 | 绿 | 蓝 | 紫 | 灰 |
3DG112 型晶体管B-2 型封状尺寸图
