| 器件 | LCMXO256C-3TN100C |
|---|---|
| Vcc 电压(V) | 1.2 或 1.8/2.5/3.3 |
| 密度（LUT数） | 256 |
| 密度（宏单元数）1 | 128 |
| tPD (ns) | 3.5 |
| Fmax (MHz) | 388 |
| 分布式RAM (Kbits) | 2.0 |
| EBR SRAM (Kbits) | 0 |
| EBR SRAM块 | 0 |
| PLLs | 0 |
| 最大用户I/O数 | 78 |
| 封装 | Lead-Free TQFP |
| 温度范围 | 民用级 |