首页 > NVRAM 非易失性存储器 > 8位通用HKNVRAM

HK1225：NVRAM非易失性存储器HK1225-7 8K×8

HK1225-7 64K非易失性SRAM为65，536bit，完全静态非易失性存储SRAM组成8位8192字长。每片NVRAM有一个自带锂电源和控制电路，经常监视Vcc是否超过容许条件。当超过容许条件时，锂电源自动接通，写保护无条件启动以保护混淆数据。NVSRAM 能够直接用来替代现有的8K*8SRAM,符合普通字节宽度的28-pin DIP标准。HK1225-7 同样匹配2764EPROM或2864 EEPROM 的引出线，提高性能时可直接替代。可执行的写循环次数没有限制，微处理器界面也不需要附加支持电路。

HK1225 引脚排列

HK1225引脚排列

HK1225 读取模式

HK1225 在WE（写使能）被禁止（high）且CE（片选）被选中（Low）且CE2（片选2）被选中（High）并且OE（读信号）被使能（Low）执行一次读循环。13个地址输入线（A0-A12）指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后8位数据输出驱动器将在tACC时序内得到有效数据。

HK1225 写模式

地址输入稳定后,HK1225 在WE和CE信号处于激活（低电平）状态且CE2（片选2）被选中（High）为写模式。最后出现的CE或WE下降沿将决定写循环的开始,写循环终止于CE或WE前边的上升边沿。在写循环内所有地址输入必须保持有效。在下一个循环能被初始化前,WE写信号必须将高电平保持最少记录时间（tWR）。写循环期间OE控制信号应当保持失效（高电平）,避免总线冲突,如果输出总线已经有效（CE和OE激活）,则写信号可以在tODW时序内从下降边沿开始禁止输出。

HK1225 数据保存模式

HK1225 为Vcc提供全部功能,当Vcc大于4.5伏或4.75伏,写保护为4.35伏或4.75伏。当Vcc掉电时保存数据,没有任何附加支持电路的需要。HK1225通常监视Vcc。如果支持电压降低,RAM自动写保护其本身。所有对RAM的输入变为“不接收”,所有输出为高电阻。当Vcc降低到大约3.0伏时,电源转换电路将用锂电源向RAM供电保存数据。电压升高时,当Vcc升高到大约3.0伏时,电压转换电路将外部Vcc与RAM连接。正常RAM操作在Vcc超过4.5伏或4.75伏后能够重新开始。

HK1225 出厂状态及运输

HK1225从半导体出厂均保证满电量。运输及使用中的重力加速度不应超出1.5G否则影响寿命。

HK1225 验收及服务

本产品验收期为1个月即自客户得到本产品后对以下各项性能指标进行验收,如果异议应在1个月内提出更换或退货。质量保证期即服务期为一年,如产品在一年内非使用问题而产生的产品质量问题并且未经使用损坏的经我公司检验认可可以给予更换。我公司拥有对以上条款的最终解释权。

HK1225 各项指标
① 最大范围
  1. 各脚对地电压 -0.3~5.0V
  2. 储存温度 -40℃~70℃
  3. 焊接温度 200℃不能超过5秒
  4. 操作温度 0℃~55℃ 准工业级0℃~70℃
  5. 工业级-40℃~70℃

注：HK1225 长期暴露在工作在以上最大范围下将影响使用周期

②HK1225 推荐操作条件 (0℃to70℃)
PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITS
Power Supply Voltage（HK1245） VCC 4.5 5.0 5.5 V
Power Supply Voltage（HK1245N） VCC 4.75 5.0 5.25 V
Logic 1 VIH 2.2 — Vcc V
③HK1225 直流特性 (0℃to70℃;Vcc=5V±10%)
PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITS
Input Leakage Current I IL -5.0 — +5.0 mA
I/O Leakage Current CE≥VIH≤VCC I IO -5.0 — +5.0 mA
Output Current @2.4V I OH -1.0 — — mA
Output current @0.4V I OL 2.0 — — mA
Standby Current CE=2.2V,CE2=0V I CCS1 — 5.0 10.0 mA
Standby Current CE=Vcc-0.5V,CE2=0V I CCS2 — 3.0 5.0 mA
Operating Current I CCO1 — 5 45 mA
Write Protection Voltage（HK1225） V T P 4.25 4.37 4.5 V
Write Protection Voltage（HK1225N） V T P 4.5 4.75 4.85 V
④HK1225 读写电特性 (0℃to70℃;Vcc=5V±10%)
PARAMETER SYM HK1225-70 HK1225-85 HK1225-100 UNITS NOTES
MIN MAX MIN MAX MIN MAX
Read Cycle Time tRC 70 — 85 — 100 — ns —
Access Time tACC — 70 — 85 — 100 ns —
OE to Output Valid tOE — 35 — 45 — 50 ns —
OE to Output Valid tCO — 70 — 85 — 100 ns —
OE or CE Output Active tCOE 5 — 5 — 5 — ns 5
Output High Z from Dissection tOD — 25 — 30 — 35 ns 5
Output Hold from dress Change tOH 5 — 5 — 5 — ns —
Write Cycle Time tWC 70 — 85 — 100 — ns —
Write Pulse Width tWP 55 — 65 — 75 — ns 3
Address Setup Time tAW 0 — 0 — 0 — ns —
Write Recovery Time tWR1 tWR2 5 15 — 5 15 — 5 15 — ns
Output High Z from WE tODW — 25 — 30 — 35 ns 5
Output Active from WE tOEW 5 — 5 — 5 — ns 5
Data Setup Time tDS 30 — 35 — 40 — ns 4
Data Hold Time tDH1 tDH2 0 10 — 0 10 — 0 10 — ns
⑤HK1225 建议电源上下电时间
SYM PARAMETER MIN MAX UNITS NOTES
tPD CE at VIH before Power-Down 10 — μs —
tF Vcc Slew from 4.5v to 0v(CE at VIH) 300 — μs —
tR Vcc Slew from 0v to 4.5v(CE at VIH) 0 20 μs —
tREC CE WE at VIH after Power-Up20 20 125 ms —
(TA=25℃)
SYM PARAMETER MIN TYP MAX UNITS NOTES
t DR Expected Data RetentionTime — 10 — years 9,11

注：请技术人员在使用前仔细阅读英文资料,中文翻译仅为全部资料中的一部分。

HKNVRAM 通用非易失性随机存取存储器
  1. HK1225-7 非易失性随机存取存储器 HK1225---8K×8
  2. HK1235-7 非易失性随机存取存储器 HK1235--32K×8
  3. HK1245-7 非易失性随机存取存储器 HK1245-128K×8
  4. HK1255-7 非易失性随机存取存储器 HK1255-512K×8
  5. HK1265-7 非易失性随机存取存储器 HK1265-256K×8
  6. HK1275-7 非易失性随机存取存储器 HK1275---1M×8
  7. HK1285-7 非易失性随机存取存储器 HK1285---2M×8
  8. HK1295-7 非易失性随机存取存储器 HK1295---8M×8
  9. HK12A5-7 非易失性随机存取存储器 HK12A5---4M×8
  10. HK12B5-7 非易失性随机存取存储器 HK12B5 --16M×8
SNVRAM 带软件锁非易失性随机存取存储器
  1. 带软件锁非易失性随机存取存储器 OKS1225---8K×8
  2. 带软件锁非易失性随机存取存储器 OKS1235--32K×8
  3. 带软件锁非易失性随机存取存储器 OKS1245-128K×8
  4. 带软件锁非易失性随机存取存储器 OKS1255-512K×8
  5. 带软件锁非易失性随机存取存储器 OKS1275---1M×8
  6. 带软件锁非易失性随机存取存储器 OKS1285---2M×8
  7. 带软件锁非易失性随机存取存储器 OKS1295---8M×8
  8. 带软件锁非易失性随机存取存储器 OKS12A5---4M×8
  9. 带软件锁非易失性随机存取存储器 OKS12B5--16M×8
HK1225 技术支持与相关电子电路设计开发资源下载